Profil personnel
Empreinte digitale
Passez en revue plus en détail les thèmes de recherche où Sofiane Belahsene est actif. Ces libellés thématiques proviennent des travaux de cette personne. Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.
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Collaborations et principaux domaines de recherche des cinq dernières années
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Correction: A chip-scale second-harmonic source via self-injection-locked all-optical poling (Light: Science & Applications, (2023), 12, 1, (296), 10.1038/s41377-023-01329-6)
Clementi, M., Nitiss, E., Liu, J., Durán-Valdeiglesias, E., Belahsene, S., Debrégeas, H., Kippenberg, T. J. & Brès, C. S., 1 déc. 2025, Dans: Light: Science and Applications. 14, 1, 366.Résultats de recherche: Contribution à un journal › Commentaire/débat
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A chip-scale second-harmonic source via self-injection-locked all-optical poling
Clementi, M., Nitiss, E., Liu, J., Durán-Valdeiglesias, E., Belahsene, S., Debrégeas, H., Kippenberg, T. J. & Brès, C. S., 1 déc. 2023, Dans: Light: Science and Applications. 12, 1, 296.Résultats de recherche: Contribution à un journal › Article › Revue par des pairs
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Investigation of Real-Time 25 Gbps Burst Mode Transmission over 20 km fiber with Directly Modulated Laser, Ge/Si APD Receiver and BM-TIA Targeting 50G-PON
Chevalier, D., Wang, C., Potet, J., Simon, G., Coudyzer, G., Gaillard, G., Saliou, F., Belahsene, S., Libs, C., Bramerie, L., Yin, X., Chanclou, P., Scalart, P. & Thual, M., 1 janv. 2023, 49th European Conference on Optical Communications, ECOC 2023. 34 Ed. Institution of Engineering and Technology, Vol 2023. p. 345-348 4 p.Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collection › Contribution à une conférence › Revue par des pairs
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Dc and ac electrical response of MOCVD grown GaN in p-i-n structure, assessed through I-V and admittance measurement
Kuruoǧlu, N. A., Özdemir, O., Bozkurt, K., Sundaram, S., Salvestrini, J. P., Ougazzaden, A., Gaimard, Q., Belahsene, S., Merghem, K. & Ramdane, A., 29 nov. 2017, Dans: Journal of Physics D: Applied Physics. 50, 50, 505109.Résultats de recherche: Contribution à un journal › Article › Revue par des pairs
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Dynamic Characterization of III-Nitride-Based High-Speed Photodiodes
Alshehri, B., Dogheche, K., Belahsene, S., Ramdane, A., Patriarche, G., Decoster, D. & Dogheche, E., 1 août 2017, Dans: IEEE Photonics Journal. 9, 4, 7945255.Résultats de recherche: Contribution à un journal › Article › Revue par des pairs
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Improving InGaN heterojunction solar cells efficiency using a semibulk absorber
Arif, M., Elhuni, W., Streque, J., Sundaram, S., Belahsene, S., El Gmili, Y., Jordan, M., Li, X., Patriarche, G., Slaoui, A., Migan, A., Abderrahim, R., Djebbour, Z., Voss, P. L., Salvestrini, J. P. & Ougazzaden, A., 1 janv. 2017, Dans: Solar Energy Materials and Solar Cells. 159, p. 405-411 7 p.Résultats de recherche: Contribution à un journal › Article › Revue par des pairs
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Simultaneous Determination of Electron and Hole Mobilities in InP/InGaAsP/InAs/InP Laser Heterostructure by Admittance Spectroscopy
Kuruoǧlu, N. A., Ozdemir, O., Bozkurt, K., Belahsene, S., Martinez, A. & Ramdane, A., 1 juil. 2017, Dans: IEEE Transactions on Electron Devices. 64, 7, p. 2881-2885 5 p., 7935518.Résultats de recherche: Contribution à un journal › Article › Revue par des pairs
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Discrimination of carrier conduction mechanisms of InP/InGaAsP/InAs/InP laser structure Through J-V-T measurements
Ayarci, N., Özdemir, O., Bozkurt, K., Ramdane, A., Belahsene, S. & Martinez, A., 1 mai 2016, Dans: IEEE Transactions on Electron Devices. 63, 5, p. 1866-1870 5 p., 7446311.Résultats de recherche: Contribution à un journal › Article › Revue par des pairs
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Synthesis of In0.1Ga0.9N/GaN structures grown by MOCVD and MBE for high speed optoelectronics
Alshehri, B., Dogheche, K., Belahsene, S., Janjua, B., Ramdane, A., Patriarche, G., Ng, T. K., S-Ooi, B., Decoster, D. & Dogheche, E., 1 janv. 2016, Dans: MRS Advances. 1, 23, p. 1735-1742 8 p.Résultats de recherche: Contribution à un journal › Article › Revue par des pairs
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Analysis of deep level defects in GaN p-i-n diodes after beta particle irradiation
Belahsene, S., Saqri, N. A. A., Jameel, D., Mesli, A., Martinez, A., Sanoit, J. D., Ougazzaden, A., Salvestrini, J. P., Ramdane, A. & Henini, M., 4 déc. 2015, Dans: Electronics (Switzerland). 4, 4, p. 1099-1100 2 p.Résultats de recherche: Contribution à un journal › Article › Revue par des pairs
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