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Ab-initio calculations of the electronic properties of silicon nanocrystals: Absorption, emission, stokes shift

  • Elena Degoli
  • , G. Cantele
  • , Eleonora Luppi
  • , Rita Magri
  • , Stefano Ossicini
  • , D. Ninno
  • , O. Bisi
  • , G. Onida
  • , M. Gatti
  • , A. Incze
  • , O. Pulci
  • , R. Del Sole

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

The structural, optical and electronic properties of silicon nanocrystals are investigated as a function of the dimension as well as the surface passivation. Both the ground- and an excited-state configuration are studied using ab-initio calculations. Atom relaxation under excitation is taken into account and related with the experimentally observed Stokes shift.

langue originaleAnglais
titrePHYSICS OF SEMICONDUCTORS
Sous-titre27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27
Pages859-860
Nombre de pages2
Les DOIs
étatPublié - 30 juin 2005
Modification externeOui
EvénementPHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27 - Flagstaff, AZ, États-Unis
Durée: 26 juil. 200430 juil. 2004

Série de publications

NomAIP Conference Proceedings
Volume772
ISSN (imprimé)0094-243X
ISSN (Electronique)1551-7616

Une conférence

Une conférencePHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeFlagstaff, AZ
période26/07/0430/07/04

Empreinte digitale

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