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Ab initio quantum chemical studies of hydrogen and halogen migration on the diamond (110) surface

  • M. S. Melnik
  • , D. G. Goodwin
  • , W. A. Goddard

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

Activation energies for the migrations of H,F, and Cl on the diamond C(110) surface are calculated by quantum chemical methods using hydrocarbon cluster models. The calculations include extensive basis sets with many-body effects at the level of single and double excitations from Hartree-Fock and Complete-Active-Space wavefunctions. The calculated activation barriers for the (1,2) and (1,3) migrations indicate that such migrations are too slow to complete with gas-surface reactions during chemical-vapor deposition of diamond. However, the (1,4) migrations of both H and Cl are calculated to be sufficiently fast to complete with gas-surface reactions under typical diamond growth conditions.

langue originaleAnglais
titreMechanisms of Thin Film Evolution
rédacteurs en chefSeshu B. Desu, David B. Beach, Bruce W. Wessels, Suleyman Gokoglu
EditeurPubl by Materials Research Society
Pages349-354
Nombre de pages6
ISBN (imprimé)1558992162
étatPublié - 1 janv. 1994
Modification externeOui
EvénementProceedings of the 1993 Fall Meeting of the Materials Research Society - Boston, MA, USA
Durée: 29 nov. 19932 déc. 1993

Série de publications

NomMaterials Research Society Symposium Proceedings
Volume317
ISSN (imprimé)0272-9172

Une conférence

Une conférenceProceedings of the 1993 Fall Meeting of the Materials Research Society
La villeBoston, MA, USA
période29/11/932/12/93

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