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Absorption coefficient and non-equilibrium generalized Planck's law for improved hot carrier photoluminescence spectroscopy

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

The generalized Planck's law describes the light emitted by a blackbody. In the past this law has been generalized to semiconductors. Whereas Planck's orginial formulation roots on a same temperature between the body and the emitted photon gas, the generalized expression for semiconductors has been used to describe electron-hole plasmas in non-equilibrium with the lattice. Here we show experimentally how to determine different electron and hole temperatures in non-equilibrium with the photon gas. Since the absorption coefficient varies with the carrier density and is part of the generalize Planck's law, we particularly emphasize the importance of the absorption coefficient in the analysis of hot carrier photoluminescence spectra.

langue originaleAnglais
titre2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference, PVSC 2016
EditeurInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Pages3567-3569
Nombre de pages3
ISBN (Electronique)9781509027248
Les DOIs
étatPublié - 18 nov. 2016
Evénement43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, PVSC 2016 - Portland, États-Unis
Durée: 5 juin 201610 juin 2016

Série de publications

NomConference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
Volume2016-November
ISSN (imprimé)0160-8371

Une conférence

Une conférence43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, PVSC 2016
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villePortland
période5/06/1610/06/16

Empreinte digitale

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