Résumé
An analytic model of J-V characteristics of photovoltaic devices based on quantum dot (QD) solids is developed. The model yields the upper estimation of the power conversion efficiency and predicts its extremal dependence on the diffusion length of excitons. The predictive power of our model is approved by the comparison with the experimental data for PbS QD-based solar cells.
| langue originale | Anglais |
|---|---|
| Numéro d'article | 1940083 |
| journal | International Journal of Nanoscience |
| Volume | 18 |
| Numéro de publication | 3-4 |
| Les DOIs | |
| état | Publié - 1 juin 2019 |
| Modification externe | Oui |
SDG des Nations Unies
Ce résultat contribue à ou aux Objectifs de développement durable suivants
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SDG 7 Énergie abordable et propre
Empreinte digitale
Examiner les sujets de recherche de « Analytic Modeling of the of J-V Characteristics of Quantum Dot-Based Photovoltaic Cells ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.Contient cette citation
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