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Asymmetrical length biasing for energy efficient digital circuits

  • Instituto de Ingeniería Eléctrica
  • Universidad de la República
  • Université Paris-Saclay

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1 Citation (Scopus)

Résumé

In this work we propose an asymmetrical length biasing scheme to be used in advanced nanometer technologies that minimizes the energy per operation consumption of sub/near threshold digital CMOS circuits. Simulation results show that by using this sizing methodology, the energy per operation can be reduced more than 50% in a wide range of target performances. We used a 28nm UTBB FDSOI technology and we show that the combination of supply voltage scaling, back plane biasing and length biasing can be combined to obtain extremely energy efficient digital circuits.

langue originaleAnglais
titreLASCAS 2017 - 8th IEEE Latin American Symposium on Circuits and Systems, R9 IEEE CASS Flagship Conference
Sous-titreProceedings
EditeurInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN (Electronique)9781509058594
Les DOIs
étatPublié - 13 juin 2017
Modification externeOui
Evénement8th IEEE Latin American Symposium on Circuits and Systems, LASCAS 2017 - Bariloche, Argentine
Durée: 20 févr. 201723 févr. 2017

Série de publications

NomLASCAS 2017 - 8th IEEE Latin American Symposium on Circuits and Systems, R9 IEEE CASS Flagship Conference: Proceedings

Une conférence

Une conférence8th IEEE Latin American Symposium on Circuits and Systems, LASCAS 2017
Pays/TerritoireArgentine
La villeBariloche
période20/02/1723/02/17

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « Asymmetrical length biasing for energy efficient digital circuits ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

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