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Control of the anisotropic exchange splitting of individual InAs/GaAs quantum dots with an in-plane electric field

  • K. Kowalik
  • , O. Krebs
  • , A. Lemaître
  • , P. Senellart
  • , J. Gaj
  • , P. Voisin
  • Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies
  • University of Warsaw

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

We present results of polarization-resolved micro-photoluminescence (μ-PL) experiments on self-organized InAs/GaAs quantum dots in presence of an in-plane electric field. The spectra reveal individual QD excitonic lines consisting of linearly polarized doublets (with a splitting up to ∼ 100 μeV). This splitting is due to the anisotropic electron-hole exchange interaction that lifts the degeneracy between the two optically active states. We examine how the external field acts on the excitonic fine structure, and conclude that it is possible to compensate the native anisotropic exchange splitting.

langue originaleAnglais
titrePHYSICS OF SEMICONDUCTORS
Sous-titre27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27
Pages717-718
Nombre de pages2
Les DOIs
étatPublié - 30 juin 2005
Modification externeOui
EvénementPHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27 - Flagstaff, AZ, États-Unis
Durée: 26 juil. 200430 juil. 2004

Série de publications

NomAIP Conference Proceedings
Volume772
ISSN (imprimé)0094-243X
ISSN (Electronique)1551-7616

Une conférence

Une conférencePHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeFlagstaff, AZ
période26/07/0430/07/04

Empreinte digitale

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