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Crystallization behavior of Cu2ZnSn(Sx, Se1-x)4 absorbers processed from sputtered Cu2ZnSnS4 precursors under different selenization conditions

  • Institut Photovoltaïque d'Ile-de-France

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Résumé

In this work, we study the crystallization behavior of Cu2ZnSn(SxSe1-x)4 in annealing conditions. Cu-Zn-Sn-S precursors are deposited on glass/Mo substrate by a cosputtering of Cu, ZnS, and SnS. In order to have a better understanding of annealing on the mechanisms of formation of CZTSSe and secondary phases, these precursors are annealed at different temperatures (250°C <T<600°C), duration (1 to 60 min) and Se quantity. Efficiencies up to 7% are obtained. Material and diode properties are extracted from chemical, structural and opto-electronic characterization.

langue originaleAnglais
titre2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014
EditeurInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Pages2425-2427
Nombre de pages3
ISBN (Electronique)9781479943982
Les DOIs
étatPublié - 15 oct. 2014
Evénement40th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014 - Denver, États-Unis
Durée: 8 juin 201413 juin 2014

Série de publications

Nom2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014

Une conférence

Une conférence40th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeDenver
période8/06/1413/06/14

Empreinte digitale

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