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Design of embedded MRAM macros for memory-in-logic applications

  • Sumanta Chaudhuri
  • , Weisheng Zhao
  • , Jacques Olivier Klein
  • , Claude Chappert
  • , Pascale Mazoyer
  • Université Paris-Saclay
  • CNRS
  • STMicroelectronics SA, France

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

In this article we present a design method for integrating non-volatile MRAM memory cells into standard CMOS design. The emphasis is on standard cell based flow for general purpose logic and automatic generation or MRAM macros suitable for the applications. We present a design space exploration for this purpose and transient simulation results of the hybrid MTJ/CMOS designs. We continue the article with examples of automatic macro generation, integration layout and a prototype in 130nm CMOS which is designed to test a large subset of this design space. In conclusion we show that a high 3D integration density with reasonable speed can be achieved with automatic flow by sharing the reading/writing circuitry among a number of MTJs.

langue originaleAnglais
titreGLSVLSI'10 - Proceedings of the Great Lakes Symposium on VLSI 2010
Pages155-158
Nombre de pages4
Les DOIs
étatPublié - 16 juil. 2010
Evénement20th Great Lakes Symposium on VLSI, GLSVLSI 2010 - Providence, RI, États-Unis
Durée: 16 mai 201018 mai 2010

Série de publications

NomProceedings of the ACM Great Lakes Symposium on VLSI, GLSVLSI

Une conférence

Une conférence20th Great Lakes Symposium on VLSI, GLSVLSI 2010
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeProvidence, RI
période16/05/1018/05/10

Empreinte digitale

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