Passer à la navigation principale Passer à la recherche Passer au contenu principal

Dual-beam photocurrent spectra in undoped a-Si:H

  • NEC Research Institute

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

It is shown that the anomalous band in dual-beam CPM (DBCPM) spectra results from a combination of two processes: photocurrent enhancement due to excitations by the probe light from the valence band to the D+ defect states, and photocurrent reduction due to excitations by the probe light from the D0 defect states to the conduction band. From the DBCPM spectra, the electron correlation energy for the (filled) D- defects is determined to be 0.25 eV.

langue originaleAnglais
titreAmorphous Silicon Technology
EditeurPubl by Materials Research Society
Pages473-478
Nombre de pages6
ISBN (imprimé)155899193X, 9781558991934
Les DOIs
étatPublié - 1 janv. 1993
Modification externeOui
EvénementProceedings of the MRS Spring Meeting - San Francisco, CA, USA
Durée: 13 avr. 199316 avr. 1993

Série de publications

NomMaterials Research Society Symposium Proceedings
Volume297
ISSN (imprimé)0272-9172

Une conférence

Une conférenceProceedings of the MRS Spring Meeting
La villeSan Francisco, CA, USA
période13/04/9316/04/93

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « Dual-beam photocurrent spectra in undoped a-Si:H ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

Contient cette citation