Passer à la navigation principale Passer à la recherche Passer au contenu principal

Dynamic properties of InAs/InP (311)B Quantum Dot lasers emitting at 1.52 μm

  • A. Martinez
  • , K. Merghem
  • , J. G. Provost
  • , S. Bouchoule
  • , F. Martin
  • , G. Moreau
  • , F. Grillot
  • , R. Piron
  • , O. Dehaese
  • , K. Tavernier
  • , S. Loualiche
  • , A. Ramdane
  • Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies
  • Alcatel-Thales III-V Laboratory
  • INSA Rennes

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

Microwave frequency properties of truly 3-dimensional confined quantum dot lasers on InP substrate are thoroughly investigated for the first time. A relaxation frequency of 3.7 GHz and a Henry factor of ∼ 7 are measured.

langue originaleAnglais
titre21st IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2008
EditeurInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Pages37-38
Nombre de pages2
ISBN (imprimé)9781424417834
Les DOIs
étatPublié - 1 janv. 2008
Modification externeOui
Evénement21st IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2008 - Sorrento, Italie
Durée: 14 sept. 200818 sept. 2008

Série de publications

NomConference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference
ISSN (imprimé)0899-9406

Une conférence

Une conférence21st IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2008
Pays/TerritoireItalie
La villeSorrento
période14/09/0818/09/08

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « Dynamic properties of InAs/InP (311)B Quantum Dot lasers emitting at 1.52 μm ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

Contient cette citation