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Dynamics of optically-injected semiconductor nanolasers

  • J. M. Sarraute
  • , K. Schires
  • , S. Larochelle
  • , F. Grillot
  • Université Paris-Saclay
  • Rennes et Université Laval (Canada)
  • University of New Mexico

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

We propose a novel rate equation model of an optically-injected semiconductor nanolaser based on an expression of the complex electric field including a novel spontaneous emission term. The latter takes into account the amplification of the zero-point energy of the field as well as the Purcell effect. The modulation response of the optically injection-locked nanolaser is studied for the first time using a small-signal analysis of the model. We then investigate the injection map of the nanolaser and study the 3-dB bandwidth of the nanolaser inside the locking region.

langue originaleAnglais
titrePhysics and Simulation of Optoelectronic Devices XXIV
rédacteurs en chefYasuhiko Arakawa, Bernd Witzigmann, Marek Osinski
EditeurSPIE
ISBN (Electronique)9781628419771
Les DOIs
étatPublié - 1 janv. 2016
Modification externeOui
EvénementPhysics and Simulation of Optoelectronic Devices XXIV - San Francisco, États-Unis
Durée: 15 févr. 201618 févr. 2016

Série de publications

NomProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Volume9742
ISSN (imprimé)0277-786X
ISSN (Electronique)1996-756X

Une conférence

Une conférencePhysics and Simulation of Optoelectronic Devices XXIV
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeSan Francisco
période15/02/1618/02/16

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « Dynamics of optically-injected semiconductor nanolasers ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

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