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Effect of the Pauli principle on photoelectron spin transport in p+ GaAs

  • Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN)

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

In p+ GaAs thin films, under excitation by a tightly-focussed laser, the spatial profile of the spin polarization is monitored as a function of excitation power. It is found that photoelectron diffusion depends on spin, as a direct consequence of the Pauli principle which causes a concentration dependence of the spin stiffness. Thermoelectric currents are also predicted to depend on spin under degeneracy (spin Soret currents), but these currents play a relatively small role in this case. The spin dependence of the mobility is also found weak. Conversely, ambipolar coupling with holes increases the steady-state photo-electron density at the place of excitation and therefore the amplitude of the degeneracy-induced polarization decrease at the place of excitation.

langue originaleAnglais
titreSpintronics VIII
rédacteurs en chefHenri-Jean Drouhin, Jean-Eric Wegrowe, Manijeh Razeghi
EditeurSPIE
ISBN (Electronique)9781628417173
Les DOIs
étatPublié - 1 janv. 2015
EvénementSpintronics VIII - San Diego, États-Unis
Durée: 9 août 201513 août 2015

Série de publications

NomProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Volume9551
ISSN (imprimé)0277-786X
ISSN (Electronique)1996-756X

Une conférence

Une conférenceSpintronics VIII
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeSan Diego
période9/08/1513/08/15

Empreinte digitale

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