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Electrically enhanced infrared photoluminescence in Cr:ZnSe

  • Julien Jaeck
  • , Riad Haidar
  • , Fabrice Pardo
  • , Jean Luc Pelouard
  • , Emmanuel Rosencher
  • ONERA Office National d'Etudes et Recherches Aerospatiales
  • Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

A six-fold enhancement of infrared photoluminescence from thick single crystal Cr:ZnSe under electrical excitation is reported. The baseline 2-3 μm photoluminescence signal is obtained under a charge-transfer band optical seeding. The electrically enhanced infrared signal is localized under a semi-transparent cathode and is shown to be likely related to hole concentration. The various mechanisms of excitation involved in this infrared light emission will be discussed.

langue originaleAnglais
titrePhysics of Semiconductors - 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-30
Pages29-30
Nombre de pages2
Les DOIs
étatPublié - 1 déc. 2011
Modification externeOui
Evénement30th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-30 - Seoul, Corée du Sud
Durée: 25 juil. 201030 juil. 2010

Série de publications

NomAIP Conference Proceedings
Volume1399
ISSN (imprimé)0094-243X
ISSN (Electronique)1551-7616

Une conférence

Une conférence30th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-30
Pays/TerritoireCorée du Sud
La villeSeoul
période25/07/1030/07/10

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « Electrically enhanced infrared photoluminescence in Cr:ZnSe ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

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