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Exciton diffusion in WSe2 monolayers embedded in a van der Waals heterostructure

  • F. Cadiz
  • , C. Robert
  • , E. Courtade
  • , M. Manca
  • , L. Martinelli
  • , T. Taniguchi
  • , K. Watanabe
  • , T. Amand
  • , A. C.H. Rowe
  • , D. Paget
  • , B. Urbaszek
  • , X. Marie
  • Université Paris-Saclay
  • Université Paul Sabatier
  • National Institute for Materials Science

Résultats de recherche: Contribution à un journalArticleRevue par des pairs

Résumé

We have combined spatially resolved steady-state micro-photoluminescence with time-resolved photoluminescence to investigate the exciton diffusion in a WSe2 monolayer encapsulated with hexagonal boron nitride. At 300 K, we extract an exciton diffusion length of LX = 0.36 ± 0.02 μm and an exciton diffusion coefficient of DX = 14.5 ± 2 cm2/s. This represents a nearly 10-fold increase in the effective mobility of excitons with respect to several previously reported values on nonencapsulated samples. At cryogenic temperatures, the high optical quality of these samples has allowed us to discriminate the diffusion of the different exciton species: bright and dark neutral excitons, as well as charged excitons. The longer lifetime of dark neutral excitons yields a larger diffusion length of LXD=1.5±0.02 μm.

langue originaleAnglais
Numéro d'article152106
journalApplied Physics Letters
Volume112
Numéro de publication15
Les DOIs
étatPublié - 9 avr. 2018
Modification externeOui

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