Passer à la navigation principale Passer à la recherche Passer au contenu principal

Experimental study of disorder and defects in undoped a-Si:H as a function of annealing and hydrogen evolution

  • K. Zellama
  • , J. H. von Bardeleben
  • , V. Quillet
  • , Y. Bouizem
  • , P. Sládek
  • , M. L. Thèye
  • , P. Roca i Cabarrocas
  • CNRS

Résultats de recherche: Contribution à un journalArticleRevue par des pairs

7 Citations (Scopus)

Résumé

Information on the incorporation of hydrogen and its effects on the disorder and the defects in undoped PECVD a-Si:H films deposited under different conditions is gained from systematicannealing studies up to 500-600°C. The results reveal a better bonded hydrogen stability in he samples deposited at high rate, related to their particular microstructure.

langue originaleAnglais
Pages (de - à)285-288
Nombre de pages4
journalJournal of Non-Crystalline Solids
Volume164-166
Numéro de publicationPART 1
Les DOIs
étatPublié - 2 déc. 1993

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « Experimental study of disorder and defects in undoped a-Si:H as a function of annealing and hydrogen evolution ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

Contient cette citation