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High density asynchronous LUT based on non-volatile MRAM technology

  • Sumanta Chaudhuri
  • , Weisheng Zhao
  • , Jacques Oliver Klein
  • , Claude Chappert
  • , Pascale Mazoyer
  • Université Paris-Saclay
  • CNRS
  • STMicroelectronics SA, France

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

In this article, we present the architecture design of high-performance Asynchronous Look Up Table (LUT) embedded with a non-volatile Magnetic RAM (MRAM) as the configuration memory, called MALUT. It promises a number of advantages over the traditional FPGA circuits such as "free" standby power, high operating frequency and instant on/off etc. Thanks to the 3D integration and high density of MRAM, fine-grain run-time reconfiguration and multi-context configuration can be achieved. An automatic design flow has been developed for the design of complex hybrid CMOS/MRAM circuits. Based on CMOS 130nm and MRAM 120nm technology, mixed simulations and layout implementation have been done to demonstrate the expected operation and configuration performances. At last, we discuss and conclude.

langue originaleAnglais
titreProceedings - 2010 International Conference on Field Programmable Logic and Applications, FPL 2010
Pages374-379
Nombre de pages6
Les DOIs
étatPublié - 1 déc. 2010
Modification externeOui
Evénement20th International Conference on Field Programmable Logic and Applications, FPL 2010 - Milano, Italie
Durée: 31 août 20102 sept. 2010

Série de publications

NomProceedings - 2010 International Conference on Field Programmable Logic and Applications, FPL 2010

Une conférence

Une conférence20th International Conference on Field Programmable Logic and Applications, FPL 2010
Pays/TerritoireItalie
La villeMilano
période31/08/102/09/10

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « High density asynchronous LUT based on non-volatile MRAM technology ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

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