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High repetition rate two-section InAs/InP quantum-dash passively mode locked lasers

  • R. Rosales
  • , K. Merghem
  • , A. Martinez
  • , A. Accard
  • , F. Lelarge
  • , A. Ramdane
  • Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies
  • Thales Research & Technology

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

5 Citations (Scopus)

Résumé

First observations of 2-section InAs/InP quantum-dash passive mode locking (ML) at fundamental repetition frequencies up to ∼ 100 GHz are presented. The effects of gain/absorber section lengths and driving conditions on ML characteristics are systematically investigated.

langue originaleAnglais
titre2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, CSW/IPRM 2011
étatPublié - 1 déc. 2011
Modification externeOui
Evénement2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, CSW/IPRM 2011 - Berlin, Allemagne
Durée: 22 mai 201126 mai 2011

Série de publications

NomConference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
ISSN (imprimé)1092-8669

Une conférence

Une conférence2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, CSW/IPRM 2011
Pays/TerritoireAllemagne
La villeBerlin
période22/05/1126/05/11

Empreinte digitale

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