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Impacts of carrier capture and relaxation rates on the modulation response of injection-locked quantum dot lasers

  • Université Européenne de Bretagne
  • CNRS LTCI

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

Taking into account the carrier dynamics in the wetting layer, excited state and the ground state, the intensity modulation properties of an injection-locked quantum dot laser are studied theoretically through a semi-analytical approach. It is demonstrated that both high carrier capture and relaxation rates enhance the modulation bandwidth as well as the resonance-peak amplitude. Moreover, the pre-resonance dip arising under positive detuning can be eliminated as well, which is beneficial for further bandwidth enhancement. It is also found that a large capture time reduces both the resonance frequency and the damping factor while both are increased by a large relaxation time.

langue originaleAnglais
titrePhysics and Simulation of Optoelectronic Devices XXI
Les DOIs
étatPublié - 29 mai 2013
Modification externeOui
EvénementPhysics and Simulation of Optoelectronic Devices XXI - San Francisco, CA, États-Unis
Durée: 4 févr. 20137 févr. 2013

Série de publications

NomProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Volume8619
ISSN (imprimé)0277-786X

Une conférence

Une conférencePhysics and Simulation of Optoelectronic Devices XXI
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeSan Francisco, CA
période4/02/137/02/13

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « Impacts of carrier capture and relaxation rates on the modulation response of injection-locked quantum dot lasers ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

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