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Importance of interface sampling for extraordinary effects in metal semiconductor hybrids

  • Laboratoire de Physique des Solides
  • Washington University in St. Louis

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

Large changes in the resistance of metal semiconductor hybrids at 300 K under either magnetic field or tensile strain have been ascribed to the manner in which the injected current samples the interface between the metallic and semiconducting parts of the hybrid. Here we numerically solve Laplace's equation for symmetric circular geometry hybrids in which the local resistivity is perturbed, and we show that the interface is maximally sampled by the injected current in geometries which yield the largest extraordinary resistance change, and in which there is an observed change from semiconductor-like to metal-like conduction.

langue originaleAnglais
titrePHYSICS OF SEMICONDUCTORS
Sous-titre27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27
Pages477-478
Nombre de pages2
Les DOIs
étatPublié - 30 juin 2005
Modification externeOui
EvénementPHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27 - Flagstaff, AZ, États-Unis
Durée: 26 juil. 200430 juil. 2004

Série de publications

NomAIP Conference Proceedings
Volume772
ISSN (imprimé)0094-243X
ISSN (Electronique)1551-7616

Une conférence

Une conférencePHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeFlagstaff, AZ
période26/07/0430/07/04

Empreinte digitale

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