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InAs/InP quantum dot mode-locked lasers grown on (113)B InP substrate

  • K. Klaime
  • , C. Calo
  • , R. Piron
  • , C. Paranthoen
  • , D. Thiam
  • , T. Batte
  • , O. Dehaese
  • , J. Le Pouliquen
  • , S. Loualiche
  • , A. Le Corre
  • , K. Merghem
  • , A. Martinez
  • , A. Ramdane
  • IRISA
  • Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

We report for the first time the passive mode-locking of single section Fabry-Perot (FP) lasers based on InAs quantum dots grown on (113)B InP substrate. Devices under study are a 1 and 2 mm long laser diodes emitting around 1.58 μm. Self-starting pulses with repetition rates around 39 and 23 GHz and pulse widths down to 1.5 ps are observed after propagation through a suitable length of single-mode fiber for intracavity dispersion compensation.

langue originaleAnglais
titre2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2013
Les DOIs
étatPublié - 26 août 2013
Modification externeOui
Evénement2013 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2013 - Kobe, Japon
Durée: 19 mai 201323 mai 2013

Série de publications

NomConference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
ISSN (imprimé)1092-8669

Une conférence

Une conférence2013 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2013
Pays/TerritoireJapon
La villeKobe
période19/05/1323/05/13

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « InAs/InP quantum dot mode-locked lasers grown on (113)B InP substrate ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

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