Passer à la navigation principale Passer à la recherche Passer au contenu principal

Influence of an in-plane electric field on exciton fine structure in InAs-GaAs self-assembled quantum dots

  • K. Kowalik
  • , O. Krebs
  • , A. Lemaître
  • , S. Laurent
  • , P. Senellart
  • , P. Voisin
  • , J. A. Gaj

Résultats de recherche: Contribution à un journalArticleRevue par des pairs

Résumé

The influence of an in-plane electric field on the optical properties of single quantum dots is investigated. On a sample containing a plane of InAs/ GaAs dots, micrometer-size electro-optical structures were produced in order to apply an external electric field in the dot plane. A large decrease of the anisotropic exchange splitting, correlated with the in-plane Stark shift, is observed.

langue originaleAnglais
Numéro d'article041907
Pages (de - à)041907-1-041907-3
journalApplied Physics Letters
Volume86
Numéro de publication4
Les DOIs
étatPublié - 24 févr. 2005

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « Influence of an in-plane electric field on exciton fine structure in InAs-GaAs self-assembled quantum dots ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

Contient cette citation