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Large-signal capabilities of an optically injection-locked semiconductor laser using gain lever

  • J. M. Sarraute
  • , K. Schires
  • , S. Larochelle
  • , F. Grillot
  • Université Paris-Saclay
  • Rennes et Université Laval (Canada)
  • University of New Mexico

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

Directly-modulated lasers remain excellent candidates for the development of efficient and low-cost short communication links. While the modulation bandwidth of semiconductor lasers is inherently limited by the relaxation oscillations due carrier-photon interaction, it is possible to further enhance the modulation dynamics by using nonlinear architectures. Our recent studies has revealed the high potential of the optically injection-locked semiconductor laser operating under gain lever effect. Modulation bandwidth as large as 85 GHz namely four times larger than that of the free-running semiconductor laser has been unveiled. In this work, we numerically investigate the large-signal capabilities of this transmitter by evaluating eye diagrams and bit error rates. The results confirm its high potential for short communication links operating at high-speeds.

langue originaleAnglais
titrePhysics and Simulation of Optoelectronic Devices XXVI
rédacteurs en chefMarek Osinski, Yasuhiko Arakawa, Bernd Witzigmann
EditeurSPIE
ISBN (Electronique)9781510615373
Les DOIs
étatPublié - 1 janv. 2018
Modification externeOui
EvénementPhysics and Simulation of Optoelectronic Devices XXVI 2018 - San Francisco, États-Unis
Durée: 29 janv. 20181 févr. 2018

Série de publications

NomProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Volume10526
ISSN (imprimé)0277-786X
ISSN (Electronique)1996-756X

Une conférence

Une conférencePhysics and Simulation of Optoelectronic Devices XXVI 2018
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeSan Francisco
période29/01/181/02/18

Empreinte digitale

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