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Linewidth of an optically injected semiconductor laser

  • M. Bondiou
  • , R. Gabet
  • , G. M. Stéphan
  • , P. Besnard
  • Centre d'Optique Photonique et Laser
  • Rennes et Université Laval (Canada)
  • Ecl. Natl. Sup. Sci. Appl. Technol.

Résultats de recherche: Contribution à un journalArticleRevue par des pairs

18 Citations (Scopus)

Résumé

This work addresses the linewidth properties of a distributed-feedback semiconductor laser submitted to optical injection. Experimentally, we first verify that under frequency-locking conditions, the slave laser has the same linewidth as the master. It can be smaller or larger than that of the free-slave laser. For lasers tuned on the same central frequency when the injected power decreases or when the master linewidth increases, we observe a partial linewidth transfer (progressive phase locking). These effects are well described theoretically by the Airy function generalized to the laser.

langue originaleAnglais
Pages (de - à)41-46
Nombre de pages6
journalJournal of Optics B: Quantum and Semiclassical Optics
Volume2
Numéro de publication1
Les DOIs
étatPublié - 1 févr. 2000
Modification externeOui

Empreinte digitale

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