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Mapping charge transfers between quantum levels using noncontact atomic force microscopy

  • Borowik
  • , K. Kusiaku
  • , D. Deresmes
  • , D. Théron
  • , H. Diesinger
  • , T. Mélin
  • , T. Nguyen-Tran
  • , P. Roca I Cabarrocas
  • Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN)
  • Institut polytechnique de Paris

Résultats de recherche: Contribution à un journalArticleRevue par des pairs

Résumé

We demonstrate the possibility to map nanoscale charge transfers between quantum electronic levels at room temperature, using noncontact atomic force microscopy and Kelvin force microscopy in a regime of weak electromechanical coupling. A two-level system is studied, consisting of degenerately doped silicon nanocrystals on silicon substrates, with size in the 2-50 nm range, in which the energy spacing is tuned by the nanocrystal quantum confinement over a ≈1eV range. The nanocrystal ionization is found to follow an energy compensation mechanism driven by quantum confinement, in quantitative agreement with parametrized tight-binding calculations of its band structure.

langue originaleAnglais
Numéro d'article073302
journalPhysical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
Volume82
Numéro de publication7
Les DOIs
étatPublié - 6 août 2010

Empreinte digitale

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