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Modeling of transient faults and fault-tolerant design in nanoelectronics

  • Nanjing University of Science and Technology
  • Institut Mines-Télécom

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

Transistors in nanometric technologies are increasingly susceptible to faults due to physical limitations. Since the constituent gates of a logic circuit actually have different failure rates, the assumption of constant gate failure rate in existing reliability evaluation and fault tolerant design is not desirable. This paper analyzes transient faults in CMOS logic gates at transistor level and proposes a mathematical model. Examples based on the benchmark circuit are provided to demonstrate the efficiency of the proposed model in both reliability evaluation and fault tolerant design.

langue originaleAnglais
titre2013 IEEE 56th International Midwest Symposium on Circuits and Systems, MWSCAS 2013
Pages545-548
Nombre de pages4
Les DOIs
étatPublié - 1 déc. 2013
Modification externeOui
Evénement2013 IEEE 56th International Midwest Symposium on Circuits and Systems, MWSCAS 2013 - Columbus, OH, États-Unis
Durée: 4 août 20137 août 2013

Série de publications

NomMidwest Symposium on Circuits and Systems
ISSN (imprimé)1548-3746

Une conférence

Une conférence2013 IEEE 56th International Midwest Symposium on Circuits and Systems, MWSCAS 2013
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeColumbus, OH
période4/08/137/08/13

Empreinte digitale

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