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Optical properties and structural characteristics of semiconductor-doped oxide gels

  • Thierry Gacoin
  • , Cyrille Train
  • , Frederic Chaput
  • , Jean Pierre Boilot
  • , Pascal Aubert
  • , M. Gandais
  • , Yangshu Wang
  • , Andre Lecomte

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

CdS and PbS semiconductor nanoclusters (2 - 10 nm) are produced by using direct precipitation, γ-radiolysis and reversed micelles. A chemical capping reaction is made at the cluster surface by thiolate complexes. The structure and the size of the capped clusters are determined by Optical Absorption, X-ray Diffraction, Small Angle X-ray Scattering and High Resolution Electron Microscopy. After grafting of a gel precursor at the cluster surface, PbS and CdS particles can be incorporated in optically clear and dense oxide gels prepared by hydrolysis of metal alkoxides in a wet atmosphere.

langue originaleAnglais
titreProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
EditeurPubl by Int Soc for Optical Engineering
Pages565-576
Nombre de pages12
ISBN (imprimé)0819409316, 9780819409317
Les DOIs
étatPublié - 1 janv. 1992
EvénementSol-Gel Optics II - San Diego, CA, USA
Durée: 20 juil. 199222 juil. 1992

Série de publications

NomProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Volume1758
ISSN (imprimé)0277-786X

Une conférence

Une conférenceSol-Gel Optics II
La villeSan Diego, CA, USA
période20/07/9222/07/92

Empreinte digitale

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