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OxRAM-based non volatile flip-flop in 28nm FDSOI

  • N. Jovanović
  • , O. Thomas
  • , E. Vianello
  • , J. M. Portal
  • , B. Nikolić
  • , L. Naviner
  • Univ. Joseph Fourier-Grenoble 1
  • University of California
  • Telecom Paris
  • Aix Marseille Université

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7 Citations (Scopus)

Résumé

This paper presents a robust OxRAM-based nonvolatile flip-flop (NVFF) solution, designed for deep nano-scaled CMOS technologies. Forming, set and reset operations rely on a reliable design approach using thin gate oxide CMOS. The NVFF is benchmarked against a standard FF in 28nm CMOS FDSOI. Non-volatility is added with minimal impact on the FF performances.

langue originaleAnglais
titre2014 IEEE 12th International New Circuits and Systems Conference, NEWCAS 2014
EditeurInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Pages141-144
Nombre de pages4
ISBN (Electronique)9781479948857
Les DOIs
étatPublié - 22 oct. 2014
Evénement2014 12th IEEE International New Circuits and Systems Conference, NEWCAS 2014 - Trois-Rivieres, Canada
Durée: 22 juin 201425 juin 2014

Série de publications

Nom2014 IEEE 12th International New Circuits and Systems Conference, NEWCAS 2014

Une conférence

Une conférence2014 12th IEEE International New Circuits and Systems Conference, NEWCAS 2014
Pays/TerritoireCanada
La villeTrois-Rivieres
période22/06/1425/06/14

Empreinte digitale

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