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Practical rules for spin-orbit engineering of [110]-oriented III-V heterostructures

  • CEA/DSM/IRAMIS
  • Politecnico di Milano
  • CNRS

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

New boundary conditions are derived for tunnel-heterojunctions, where the effective Hamiltonian is a generic power of the momentum-operator. A novel expression of probability-current operator, which can be also applied in presence of the D'yakonov-Perel (DP) Hamiltonian, has to be used. We test our technique on the interface between two semi-infinite media, with on one side a free-electron-like material and on the other side the [110]- oriented GaAs barrier.

langue originaleAnglais
titreQuantum Sensing and Nanophotonic Devices IX
Les DOIs
étatPublié - 20 févr. 2012
Modification externeOui
EvénementQuantum Sensing and Nanophotonic Devices IX - San Francisco, CA, États-Unis
Durée: 22 janv. 201226 janv. 2012

Série de publications

NomProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Volume8268
ISSN (imprimé)0277-786X

Une conférence

Une conférenceQuantum Sensing and Nanophotonic Devices IX
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeSan Francisco, CA
période22/01/1226/01/12

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « Practical rules for spin-orbit engineering of [110]-oriented III-V heterostructures ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

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