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Recent advances in germanium emission [invited]

  • P. Boucaud
  • , M. El Kurdi
  • , A. Ghrib
  • , M. Prost
  • , M. De Kersauson
  • , S. Sauvage
  • , F. Aniel
  • , X. Checoury
  • , G. Beaudoin
  • , L. Largeau
  • , I. Sagnes
  • , G. Ndong
  • , M. Chaigneau
  • , R. Ossikovski
  • CNRS
  • STMicroelectronics SA, France
  • Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies
  • Institut polytechnique de Paris

Résultats de recherche: Contribution à un journalArticleRevue par des pairs

Résumé

The optical properties of germanium can be tailored by combining strain engineering and n-type doping. In this paper, we review the recent progress that has been reported in the study of germanium light emitters for silicon photonics. We discuss the different approaches that were implemented for strain engineering and the issues associated with n-type doping. We show that compact germanium emitters can be obtained by processing germanium into tensile-strained microdisks.

langue originaleAnglais
Pages (de - à)102-109
Nombre de pages8
journalPhotonics Research
Volume1
Numéro de publication3
Les DOIs
étatPublié - 1 janv. 2013

Empreinte digitale

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