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Room-temperature electroluminescence in the mid-infrared (2-3 μm) from bulk chromium-doped ZnSe

  • Julien Jaeck
  • , Riad Haidar
  • , Emmanuel Rosencher
  • , Marcel Caes
  • , Michel Tauvy
  • , Stéphane Collin
  • , Natalie Bardou
  • , Jean Luc Pelouard
  • , Fabrice Pardo
  • , Philippe Lemasson
  • ONERA Office National d'Etudes et Recherches Aerospatiales
  • Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies
  • CNRS/LPSC

Résultats de recherche: Contribution à un journalArticleRevue par des pairs

24 Citations (Scopus)

Résumé

Electroluminescence associated with impact excitation or ionization of deep Cr2+ impurity centers in bulk ZnSe is reported. A broad signal of mid-infrared luminescence between 2 and 3 μm is observed once the biased bulk ZnSe device runs into a nonlinear conduction regime. Optical powers in the nanowatt range have been measured at room temperature. The different mechanisms involved in this intracenter infrared light emission are discussed.

langue originaleAnglais
Pages (de - à)3501-3503
Nombre de pages3
journalOptics Letters
Volume31
Numéro de publication23
Les DOIs
étatPublié - 1 déc. 2006
Modification externeOui

Empreinte digitale

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