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Short radiative lifetime of single GaAs quantum dots

  • Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies
  • Univ. Joseph Fourier-Grenoble 1

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

3 Citations (Scopus)

Résumé

We report on time resolved measurements on single monolayer fluctuation GaAs quantum dots. We measure radiative lifetimes as short as 100 ps for the exciton. Studying various single quantum dots, we demonstrate that the radiative lifetime of the exciton is controlled by the quantum dot lateral size.

langue originaleAnglais
titrePHYSICS OF SEMICONDUCTORS
Sous-titre27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27
Pages771-772
Nombre de pages2
Les DOIs
étatPublié - 30 juin 2005
Modification externeOui
EvénementPHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27 - Flagstaff, AZ, États-Unis
Durée: 26 juil. 200430 juil. 2004

Série de publications

NomAIP Conference Proceedings
Volume772
ISSN (imprimé)0094-243X
ISSN (Electronique)1551-7616

Une conférence

Une conférencePHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-27
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeFlagstaff, AZ
période26/07/0430/07/04

Empreinte digitale

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