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Stable above-threshold linewidth enhancement factor in a 1.52-μm InAs/InP (311B) quantum dot laser

  • F. Grillot
  • , A. Martinez
  • , K. Merghem
  • , J. G. Provost
  • , F. Alexandre
  • , R. Piron
  • , O. Dehaese
  • , S. Loualiche
  • , L. F. Lester
  • , A. Ramdane
  • INSA Rennes
  • University of New Mexico
  • CNRS
  • Alcatel-Thales III-V Laboratory

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

1 Citation (Scopus)

Résumé

the αH-factor behavior with current is investigated in a 1.52μm InAs/InP (311B) QD laser. It is shown that due to low gain compression effects, no divergence of the αH-factor occurs unlike 1.3μm InAs/GaAs QD lasers.

langue originaleAnglais
titre21st Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, LEOS 2008
Pages535-536
Nombre de pages2
Les DOIs
étatPublié - 1 déc. 2008
Evénement21st Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, LEOS 2008 - Newport Beach, CA, États-Unis
Durée: 9 nov. 200813 nov. 2008

Série de publications

NomConference Proceedings - Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting-LEOS
ISSN (imprimé)1092-8081

Une conférence

Une conférence21st Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, LEOS 2008
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeNewport Beach, CA
période9/11/0813/11/08

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « Stable above-threshold linewidth enhancement factor in a 1.52-μm InAs/InP (311B) quantum dot laser ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

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