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Temperature dependence of spectral linewidth of InAs/InP quantum dot distributed feedback lasers

  • J. Duan
  • , H. Huang
  • , K. Schires
  • , P. J. Poole
  • , C. Wang
  • , F. Grillot
  • Université Paris-Saclay
  • National Research Council of Canada
  • ShanghaiTech University
  • University of New Mexico

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

In this paper, we investigate the temperature dependence of spectral linewidth of InAs/InP quantum dot distributed feedback lasers. In comparison with their quantum well counterparts, results show that quantum dot lasers have spectral linewidths rather insensitive to the temperature with minimum values below 200 kHz in the range of 283K to 303K. The experimental results are also well confirmed by numerical simulations. Overall, this work shows that quantum dot lasers are excellent candidates for various applications such as coherent communication systems, high-resolution spectroscopy, high purity photonic microwave generation and on-chip atomic clocks.

langue originaleAnglais
titreNovel In-Plane Semiconductor Lasers XVII
rédacteurs en chefPeter M. Smowton, Alexey A. Belyanin
EditeurSPIE
ISBN (Electronique)9781510615915
Les DOIs
étatPublié - 1 janv. 2018
Modification externeOui
EvénementNovel In-Plane Semiconductor Lasers XVII 2018 - San Francisco, États-Unis
Durée: 29 janv. 20181 févr. 2018

Série de publications

NomProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Volume10553
ISSN (imprimé)0277-786X
ISSN (Electronique)1996-756X

Une conférence

Une conférenceNovel In-Plane Semiconductor Lasers XVII 2018
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeSan Francisco
période29/01/181/02/18

Empreinte digitale

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