Résumé
We outline a method to determine the intensity of the second harmonic emitted from a semiconductor surface. Calculations have been carried out for Si(111)/As and compared with second-harmonic generation experiments carried out on the same surface.
| langue originale | Anglais |
|---|---|
| Pages (de - à) | 693-698 |
| Nombre de pages | 6 |
| journal | Surface Science |
| Volume | 287-288 |
| Numéro de publication | PART 2 |
| Les DOIs | |
| état | Publié - 10 mai 1993 |
| Modification externe | Oui |
Empreinte digitale
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