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Transient absorption in silicon thin films-based characterization of ultrashort pulses with photon energy above 1.12 eV

  • Mayank Kumar
  • , Saadat Mokhtari
  • , Tristan Guay
  • , Adrien Leblanc
  • , Kosta Oubrerie
  • , Sohail A. Jalil
  • , Elissa Haddad
  • , Gaëtan Jargot
  • , Philippe Lassonde
  • , Heide Ibrahim
  • , Giulio Vampa
  • , François Légaré
  • INRS-ÉMT
  • University of Ottawa
  • Université Paris-Saclay

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

We report on the capability of the Frequency-resolved optical switching (FROSt) method for characterizing ultrashort visible pulses using silicon (Si) thin films. We demonstrate that FROSt can effectively characterize sub-20 fs visible pulses and those with energy densities less than 1 nJ/nm using 500 nm thick Si thin films deposited on a sapphire substrate (SOS). The findings demonstrate the potential of FROSt for characterizing low-energy solid-state high harmonics. Additionally, it serves as an ideal method for pulse characterization to enable better control and optimization of ultrashort visible pulses in ultrafast spectroscopy.

langue originaleAnglais
titreNonlinear Frequency Generation and Conversion
Sous-titreMaterials and Devices XXIV
rédacteurs en chefJeffrey Moses
EditeurSPIE
ISBN (Electronique)9781510684423
Les DOIs
étatPublié - 1 janv. 2025
EvénementNonlinear Frequency Generation and Conversion: Materials and Devices XXIV 2025 - San Francisco, États-Unis
Durée: 28 janv. 202531 janv. 2025

Série de publications

NomProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Volume13347
ISSN (imprimé)0277-786X
ISSN (Electronique)1996-756X

Une conférence

Une conférenceNonlinear Frequency Generation and Conversion: Materials and Devices XXIV 2025
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeSan Francisco
période28/01/2531/01/25

Empreinte digitale

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