Passer à la navigation principale Passer à la recherche Passer au contenu principal

Ultra high repetition rate and very low noise mode locked lasers based on INAS/INP quantum dash active material

  • A. Akrout
  • , K. Merghem
  • , A. Martinez
  • , J. P. Tourrenc
  • , X. Lafosse
  • , G. Aubin
  • , A. Ramdane
  • , F. Lelarge
  • , O. Le Gouezigou
  • , A. Accard
  • , G. H. Duan
  • CNRS Laboratory ofPhotonic and Nanostructures
  • Alcatel-Thales III-V Laboratory

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

Optimization of novel InAs/InP quantum dash nanostructures has allowed the realization of mode locked lasers that exhibit unprecedented performance, enabling subpicosecond pulse generation at >300 GHz repetition rates and very low timing jitter.

langue originaleAnglais
titreIEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2009
EditeurInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Pages45-47
Nombre de pages3
ISBN (imprimé)9781424434336
Les DOIs
étatPublié - 1 janv. 2009
Modification externeOui
EvénementIEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2009 - Newport Beach, CA, États-Unis
Durée: 10 mai 200914 mai 2009

Série de publications

NomConference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
ISSN (imprimé)1092-8669

Une conférence

Une conférenceIEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2009
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeNewport Beach, CA
période10/05/0914/05/09

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « Ultra high repetition rate and very low noise mode locked lasers based on INAS/INP quantum dash active material ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

Contient cette citation