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Ultrathin GaAs solar cells with a nanostructured back mirror

  • CNRS
  • Tokyo University

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

We have designed and fabricated ultra-thin (t=120-220nm) GaAs solar cells. Multi-resonant light trapping is achieved with a nanostructured silver back mirror. The short-circuit current predicted by numerical calculations is Jsc=24.9mA/cm2 for t=220nm. The nanostructured silver mirror is combined with localized ohmic contacts. Ultra-thin GaAs solar cells are patterned by soft nano-imprint lithography and transferred on a glass substrate. Short-circuit currents above 21mA/cm2 have been measured on 220nm-thick solar cells.

langue originaleAnglais
titre2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015
EditeurInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN (Electronique)9781479979448
Les DOIs
étatPublié - 14 déc. 2015
Evénement42nd IEEE Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015 - New Orleans, États-Unis
Durée: 14 juin 201519 juin 2015

Série de publications

Nom2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015

Une conférence

Une conférence42nd IEEE Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeNew Orleans
période14/06/1519/06/15

SDG des Nations Unies

Ce résultat contribue à ou aux Objectifs de développement durable suivants

  1. SDG 7 - Énergie abordable et propre
    SDG 7 Énergie abordable et propre

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « Ultrathin GaAs solar cells with a nanostructured back mirror ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

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