Résumé
We have designed and fabricated ultra-thin (t=120-220nm) GaAs solar cells. Multi-resonant light trapping is achieved with a nanostructured silver back mirror. The short-circuit current predicted by numerical calculations is Jsc=24.9mA/cm2 for t=220nm. The nanostructured silver mirror is combined with localized ohmic contacts. Ultra-thin GaAs solar cells are patterned by soft nano-imprint lithography and transferred on a glass substrate. Short-circuit currents above 21mA/cm2 have been measured on 220nm-thick solar cells.
| langue originale | Anglais |
|---|---|
| titre | 2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015 |
| Editeur | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. |
| ISBN (Electronique) | 9781479979448 |
| Les DOIs | |
| état | Publié - 14 déc. 2015 |
| Evénement | 42nd IEEE Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015 - New Orleans, États-Unis Durée: 14 juin 2015 → 19 juin 2015 |
Série de publications
| Nom | 2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015 |
|---|
Une conférence
| Une conférence | 42nd IEEE Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015 |
|---|---|
| Pays/Territoire | États-Unis |
| La ville | New Orleans |
| période | 14/06/15 → 19/06/15 |
SDG des Nations Unies
Ce résultat contribue à ou aux Objectifs de développement durable suivants
-
SDG 7 Énergie abordable et propre
Empreinte digitale
Examiner les sujets de recherche de « Ultrathin GaAs solar cells with a nanostructured back mirror ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.Contient cette citation
- APA
- Author
- BIBTEX
- Harvard
- Standard
- RIS
- Vancouver