Passer à la navigation principale Passer à la recherche Passer au contenu principal

Well organized Si nanowires arrays synthesis for electronic devices.

  • Institut polytechnique de Paris
  • Sungkyunkwan University
  • Samsung Electronics Co. Ltd.

Résultats de recherche: Le chapitre dans un livre, un rapport, une anthologie ou une collectionContribution à une conférenceRevue par des pairs

Résumé

In this paper we demonstrate the efficiency of porous anodic alumina (PAA) to confine the growth of silicon nanowires (SiNWs). High-density arrays of parallel, straight and organized SiNWs have been realized, by Hot Wire Chemical Vapor Deposition (HW-CVD) growth process inside PAA templates with electrodeposited copper as catalyst. The PAA was made by the anodization of an aluminium layer, followed by the catalysts electrodeposition at the bottom of the pores. Subsequently, SiNWs were grown in a modified HW-CVD reactor with SiH4 as the precursor gas. The morphology and the structure of the wires have been investigated by SEM and TEM, and their collective electrical behavior has been characterized with a 2-probes device.

langue originaleAnglais
titreCarbon Nanotubes, Graphene, and Associated Devices III
Les DOIs
étatPublié - 18 oct. 2010
EvénementCarbon Nanotubes, Graphene, and Associated Devices III - San Diego, CA, États-Unis
Durée: 1 août 20104 août 2010

Série de publications

NomProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Volume7761
ISSN (imprimé)0277-786X

Une conférence

Une conférenceCarbon Nanotubes, Graphene, and Associated Devices III
Pays/TerritoireÉtats-Unis
La villeSan Diego, CA
période1/08/104/08/10

Empreinte digitale

Examiner les sujets de recherche de « Well organized Si nanowires arrays synthesis for electronic devices. ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

Contient cette citation